講演情報
[11a-PB1-16]反応性スパッタにより成膜した高濃度Ge添加GaNのX線回折による評価
〇伊藤 健治1、冨田 一義1、加地 轍1 (1.名大IMaSS)
キーワード：
窒化ガリウム、X線回折、不純物添加
反応性スパッタによりGaN基板上に高濃度Ge添加GaNを成膜した。X線回折スペクトルによる評価から600℃以上の堆積温度では温度上昇に伴い、成膜速度およびGe濃度ともに減少することを明らかにした。またc軸方向の格子定数の変化からGe-Nの結合距離を見積り、Si添加におけるSi-Nと比較してGa-Nとの差が半分以下であることを示した。