[11a-PB1-1~31] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

[11a-PB1-18] Charge-pumping (CP) and time-domain CP characterizations on MOS interface states in 4-terminals-type GaN MOSFETs (1)

Yoshiki Yokoyama¹, Tetsu Kachi², Ruofei Geng¹, Keigo Adachi¹, Bunta Shimabukuro¹, Jun Suda², 〇Takahide Umeda¹ (1.Univ. of Tsukuba, 2.Nagoya Univ.)

Keywords:

GaN-MOSFET,MOS interface states,Charge pumping

GaN-MOSFETのMOS界面準位をチャージポンピング（CP）法で調査した。CP法は界面準位を定量する手段として知られているが、これまでGaNへの適用は稀だった。今回は名古屋大学・豊田中研の技術で作られた4端子型nチャネルGaN-MOSFETを用いることで実験が可能になった。移動度180 cm2/V/sのGaN-MOSFETに適用したところ、2～3´10¹² cm^-2の界面準位が検出された。