講演情報
[11a-PB1-18]GaN-MOSFET（4端子型）の界面準位のチャージポンピング（CP）および実時間CP評価(1)
横山 義希1、加地 徹2、耿 若飛1、安達 慧悟1、島袋 聞多1、須田 淳2、〇梅田 享英1 (1.筑波大、2.名大)
キーワード：
窒化ガリウムMOSFET、MOS界面準位、チャージポンピング
GaN-MOSFETのMOS界面準位をチャージポンピング（CP）法で調査した。CP法は界面準位を定量する手段として知られているが、これまでGaNへの適用は稀だった。今回は名古屋大学・豊田中研の技術で作られた4端子型nチャネルGaN-MOSFETを用いることで実験が可能になった。移動度180 cm2/V/sのGaN-MOSFETに適用したところ、2～3´1012 cm-2の界面準位が検出された。