Presentation Information
[11a-PB1-19]Charge-pumping (CP) and time-domain CP characterizations on MOS interface states in 4-terminals-type GaN MOSFETs (2)
Yoshiki Yokoyama1, 〇Takahide Umeda1, Tetsu Kachi2, Jun Suda2, Masahiro Hori3, Yukinori Ono3 (1.Univ. of Tsukuba, 2.Nagoya Univ., 3.Shizuoka Univ.)
Keywords:
GaN-MOSFET,MOS interface states,Charge pumping
2件目の発表ではGaN-MOSFETのMOS界面準位を実時間チャージポンピング（time-domain CP）法で調査した。この方法ではシングルCPパルス中における界面準位のキャリア捕獲を時間軸でモニターする。1件目と同型のGaN-MOSFETを用いたところ、実時間CP観察に初めて成功した。キャリア捕獲ピークはマルチピークとなっており、界面準位が複数種類あることに対応していると考えられる。