講演情報
[11a-PB1-19]GaN-MOSFET（4端子型）の界面準位のチャージポンピング（CP）および実時間CP評価(2)
横山 義希1、〇梅田 享英1、加地 徹2、須田 淳2、堀 匡寛3、小野 行徳3 (1.筑波大、2.名大、3.静大)
キーワード：
窒化ガリウムMOSFET、MOS界面準位、チャージポンピング
2件目の発表ではGaN-MOSFETのMOS界面準位を実時間チャージポンピング（time-domain CP）法で調査した。この方法ではシングルCPパルス中における界面準位のキャリア捕獲を時間軸でモニターする。1件目と同型のGaN-MOSFETを用いたところ、実時間CP観察に初めて成功した。キャリア捕獲ピークはマルチピークとなっており、界面準位が複数種類あることに対応していると考えられる。