Presentation Information
[11a-PB1-2]Elucidation of Trap Mechanisms in Ni/SiO2/AlN/GaN Structures using Angle-Resolved Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy
〇Shunsuke Yamaguchi1, Kakeru Uetani1, Mariko Shimizu2, Kento Minamikawa2, Tatsuo Shimizu2, Yosuke Kajiwara2, Yuichiro Mitani1, Hiroshi Nohira1 (1.Tokyo City univ., 2.Toshiba Corp. Corporate Laboratory)
Keywords:
semiconductor,GaN,HAXPES
次世代GaNパワーデバイスの実用化に向け、閾値変動の原因とされる膜中電荷トラップの解明を目的とした。本研究では、Ga拡散の影響を排除するため臨界膜厚以下のAlN膜を用いた積層構造試料を作製し、ストレス電圧印加前後における放射光を用いた角度分解X線光電子分光（HAXPES）測定を行った。電圧印加に伴う光電子スペクトルの変化から、電荷トラップ現象について考察した結果を報告する。