講演情報
[11a-PB1-2]角度分解硬X線光電子分法を用いたNi/SiO2/AlN/GaN構造におけるトラップ機構の解明
〇山口 俊輔1、上谷 翔琉1、清水 真理子2、南川 賢人2、清水 達雄2、梶原 瑛祐2、三谷 祐一郎1、野平 博司1 (1.東京都市大、2.(株) 東芝 総合研究所)
キーワード：
半導体、GaN、HAXPES
次世代GaNパワーデバイスの実用化に向け、閾値変動の原因とされる膜中電荷トラップの解明を目的とした。本研究では、Ga拡散の影響を排除するため臨界膜厚以下のAlN膜を用いた積層構造試料を作製し、ストレス電圧印加前後における放射光を用いた角度分解X線光電子分光（HAXPES）測定を行った。電圧印加に伴う光電子スペクトルの変化から、電荷トラップ現象について考察した結果を報告する。