[11a-PB1-1~31] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

[11a-PB1-21] Electrical properties of recessed MIS gate AlGaN/GaN heterostructure transistors processed by contactless-photoelectrochemical (CL-PEC) etching

〇Tokachi Katsumata¹, Hiroki Okano¹, Taishin Kawata¹, Zenji Yatabe¹, Taketomo Sato¹ (1.RCIQE, Hokkaido Univ.)

Keywords:

photoelectrochemical,AlGaN/GaN HEMT,recessed gate

これまで、AlGaN/GaNヘテロ構造HEMTのゲートリセス加工にコンタクトレス光電化学エッチングを適用してきた。特にエッチング深さが収束する自己停止現象は、膜厚5.6nmながらSchottkyリセスゲートHEMTの動作を可能にしたが、ゲートリーク電流がトランジスタ動作の根本的課題となっていた。本研究ではAl₂O₃膜を用いたMIS構造リセスゲートHEMTのデバイスプロセスと電気特性について調査した。