講演情報
[11a-PB1-21]CL-PECエッチングにより形成したMIS型リセスゲートAlGaN/GaNヘテロ構造トランジスタの電気的特性
〇勝又 十勝1、岡野 陽樹1、川田 大心1、谷田部 然治1、佐藤 威友1 (1.北大量集センター)
キーワード：
光電気化学エッチング、AlGaN/GaN HEMT、リセスゲート
これまで、AlGaN/GaNヘテロ構造HEMTのゲートリセス加工にコンタクトレス光電化学エッチングを適用してきた。特にエッチング深さが収束する自己停止現象は、膜厚5.6nmながらSchottkyリセスゲートHEMTの動作を可能にしたが、ゲートリーク電流がトランジスタ動作の根本的課題となっていた。本研究ではAl2O3膜を用いたMIS構造リセスゲートHEMTのデバイスプロセスと電気特性について調査した。