Presentation Information
[11a-PB1-25]Influence of cooling process on the fixed charges at SiC/SiO2 interface
〇Kyota Mikami1, Mitsuaki Kaneko1, Tsunenobu Kimoto1 (1.Kyoto Univ.)
Keywords:
SiC MOSFET,Threshold Voltage,Interface fixed charges
SiC/SiO2界面にはドーピング密度に依存する固定電荷が存在し、MOSFETのしきい値電圧に強く影響する。この現象はSi/SiO2界面では観測されておらず、SiC特有の現象である。本研究では、熱処理後の降温プロセスが固定電荷に及ぼす影響を調べた。降温レートを速くすることで固定電荷の生成を抑制できることを見出した。本結果は、SiC MOSFETしきい値電圧の精密制御に直結する重要な知見である。