講演情報
[11a-PB1-25]熱処理後の降温プロセスがSiC/SiO2界面固定電荷に及ぼす影響
〇三上 杏太1、金子 光顕1、木本 恒暢1 (1.京大院工)
キーワード：
SiC MOSFET、しきい値電圧、界面固定電荷
SiC/SiO2界面にはドーピング密度に依存する固定電荷が存在し、MOSFETのしきい値電圧に強く影響する。この現象はSi/SiO2界面では観測されておらず、SiC特有の現象である。本研究では、熱処理後の降温プロセスが固定電荷に及ぼす影響を調べた。降温レートを速くすることで固定電荷の生成を抑制できることを見出した。本結果は、SiC MOSFETしきい値電圧の精密制御に直結する重要な知見である。