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[11a-PB1-3]The Effect of Mg Concentration on the Photon-Enhanced Thermionic Emission Characteristics of Mg-doped InGaN
〇Kaisei Suzuki1, Shigeya Kimura2, Hisao Miyazaki2, Akihisa Ogino1 (1.Shizuoka Univ., 2.Corporate Laboratory, Toshiba Corp.)
Keywords:
photon enhanced thermionic emission,indium gallium nitride (InGaN),Mg doping concentration
光支援熱電子放出（PETE）は、熱電子発電の低温動作化を実現する手法として注目されている。我々はこれまでにMgドープInGaNエミッタによるPETE特性向上を報告した。一方で、Mgドーピングの有無や濃度がPETE特性に及ぼす影響は十分に解明されていない。本研究では、Mgドープ濃度の異なるp型InGaNおよびundoped InGaNを用いてPETE特性を比較評価し、Mgドーピングの効果を検討した。