講演情報
[11a-PB1-3]MgドープInGaNを用いた光支援熱電子放出特性におけるMg濃度の影響
〇鈴木 開晴1、木村 重哉2、宮崎 久生2、荻野 明久1 (1.静大院工、2.(株) 東芝 総合研究所)
キーワード：
光支援熱電子放出、窒化インジウムガリウム(InGaN)、Mgドープ濃度
光支援熱電子放出（PETE）は、熱電子発電の低温動作化を実現する手法として注目されている。我々はこれまでにMgドープInGaNエミッタによるPETE特性向上を報告した。一方で、Mgドーピングの有無や濃度がPETE特性に及ぼす影響は十分に解明されていない。本研究では、Mgドープ濃度の異なるp型InGaNおよびundoped InGaNを用いてPETE特性を比較評価し、Mgドーピングの効果を検討した。