Presentation Information
[11a-PB1-30]Chemical State Analysis of Doped ions in Ion-Implanted Diamond
〇Ayumu Kubo1, Takaomi Matsutani1, Daisuke Matsuo2, Honoka Watanabe2, Shun Konno2, Mami Fujii3 (1.Graduate School, Kindai University, 2.Nissin Ion Equipment Co., Ltd., 3.Ritsumeikan University)
Keywords:
diamond,ion implantation,X-ray photoelectron spectroscopy
次世代パワー半導体材料としてダイヤモンドが注目されているが，イオン注入による不純物導入ではドーパントの活性化機構や化学状態の理解が課題となっている。本研究では，単結晶ダイヤモンド基板にイオン注入し，X線光電子分光法（XPS）を用いてドーパントの化学状態を解析した。結果より，PおよびBドーパントはダイヤモンド格子中に取り込まれる一方で，一部は酸化状態として存在していることが明らかとなった。