講演情報
[11a-PB1-30]イオン注入ダイヤモンド基板におけるドーパントの化学状態解析
〇久保 歩夢1、松谷 貴臣1、松尾 大輔2、渡辺 穂香2、金野 舜2、藤井 茉美3 (1.近畿大院総理工、2.日新イオン機器株式会社、3.立命館大)
キーワード：
ダイヤモンド、イオン注入、X線光電子分光法
次世代パワー半導体材料としてダイヤモンドが注目されているが，イオン注入による不純物導入ではドーパントの活性化機構や化学状態の理解が課題となっている。本研究では，単結晶ダイヤモンド基板にイオン注入し，X線光電子分光法（XPS）を用いてドーパントの化学状態を解析した。結果より，PおよびBドーパントはダイヤモンド格子中に取り込まれる一方で，一部は酸化状態として存在していることが明らかとなった。