Presentation Information
[11a-PB2-2]Carrier Lifetime Observation in 4H-SiC PiN Diodes Evaluated by Time-Resolved Electroluminescence
〇Tong Li1, Yoshiyuki Yonezawa2, Masashi Kato1 (1.NITech, 2.AIST)
Keywords:
SiC,Carrier Lifetime,TR-EL
4H-SiC PiNダイオードのキャリアライフタイムを把握するため、エピ層成長とAlイオン注入でp層を形成した試料に時間分解エレクトロルミネッセンス（TR-EL）測定を適用した。結果、イオン注入試料では欠陥発光由来の遅い減衰成分がライフタイム挙動に大きく影響することが判明した。本講演では、試料ごとに異なる再結合メカニズムを分離評価し、TR-ELの有効性を示した成果について報告する。