[11a-PB2-1~4] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[11a-PB2-4] Preliminary verification for 4H-SiC wafer bipolar-degradation-resistance mapping by sequential UV irradiance steps

〇Takuya Morita¹ (1.ITES Co.,Ltd.)

Keywords:

SiC,bipolar degradation

4H-SiCウエハの通電劣化耐性を、UV照射でSSF拡張を誘起し、逐次照度ステップによる I_(th,t) ビン分類で可視化する手法を提案する。本予稿ではRamp/Direct照射の事前検証結果を報告する。