[11a-PB2-1~4] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[11a-PB2-4] 逐次UV照度ステップによる4H-SiCウエハ通電劣化耐性マッピングの事前検証

〇森田 拓弥¹ (1.アイテス)

キーワード：

SiC、通電劣化

4H-SiCウエハの通電劣化耐性を、UV照射でSSF拡張を誘起し、逐次照度ステップによる I_(th,t) ビン分類で可視化する手法を提案する。本予稿ではRamp/Direct照射の事前検証結果を報告する。