[11a-S5-1~12] 3.12 Semiconductor optical devices

12:15 PM - 12:30 PM JST(3:15 AM - 3:30 AM UTC)

[11a-S5-12] Characterization of High-Power Quantum Dot Lasers with Double Active Layer Structure

〇Haruki Maruyama^1,2, Satoshi Yanase^1,2, Kouichi Akahane², Satoshi Shinada², Atsushi Matsumoto², Tomohiro Maeda^1,2, Hideyuki Sotobayashi² (1.Aogaku Univ., 2.NICT)

Keywords:

Quantum Dot,laser diode,high power

本研究では、3D-LiDAR用光源として期待される1550 nm帯の高出力量子ドット半導体レーザー（QD-LD）の高出力化、低駆動電流化を目的に、活性層を2層化したQD-LDを作製・評価した。n-InP基板上に15層のInAs量子ドット層を含む活性層をトンネル接合を介して2層積層し、リッジ導波路構造を形成した。評価の結果、しきい値電流197 mA、最大出力47.9 mW、中心波長1551 nmで発振し、出力飽和の抑制と2層の活性層からの発振を示唆する結果を得た。