講演情報
[11a-S5-12]2層活性層構造による高出力量子ドットレーザーの特性評価
〇丸山 晴己1,2、簗瀬 智史1,2、赤羽 浩一2、品田 聡2、松本 敦2、前田 智弘1,2、外林 秀之2 (1.青学大理工、2.情通機構)
キーワード：
量子ドット、半導体レーザー、高出力
本研究では、3D-LiDAR用光源として期待される1550 nm帯の高出力量子ドット半導体レーザー（QD-LD）の高出力化、低駆動電流化を目的に、活性層を2層化したQD-LDを作製・評価した。n-InP基板上に15層のInAs量子ドット層を含む活性層をトンネル接合を介して2層積層し、リッジ導波路構造を形成した。評価の結果、しきい値電流197 mA、最大出力47.9 mW、中心波長1551 nmで発振し、出力飽和の抑制と2層の活性層からの発振を示唆する結果を得た。