[11a-S5-1~12] 3.12 Semiconductor optical devices

10:15 AM - 10:30 AM JST(1:15 AM - 1:30 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[11a-S5-5] Active-MMI-Based SOA-Integrated DFB Laser with pn-Buried Heterostructure

〇Shun Kimura¹, Yusuke Sawada¹, Takayuki Miyai¹, Kotaro Hoshino², Daisuke Inoue^1,2, Mitsuru Ekawa^1,2, Hiroyuki Yoshinaga¹, Naoki Fujiwara¹ (1.SEI, 2.SEDI)

Keywords:

semiconductor laser,DFB Laser

Co-packaged optics向けの1.3 µm帯高出力外部光源として、SOAを一体集積したDFBレーザーが注目されている。本研究ではSOA導波路の幅広化による飽和出力向上と単一横モード維持の両立を目指し、MMI型のSOAに着目した。今回我々は、埋め込み導波路型MMIで問題となる高次横モードの染み出しを抑える設計を提案・導入した。室温CW駆動において、導波路幅が一定の従来型SOAと比較して、飽和出力と電力変換効率共に大きな改善がみられたので報告する。