[11a-S5-1~12] 3.12 半導体光デバイス

10:15 〜 10:30奨励賞エントリー

[11a-S5-5] pn埋め込み構造を適用したアクティブMMI型SOA集積DFBレーザー

〇木村 峻¹、澤田 祐甫¹、宮井 隆行¹、星野 光太郎²、井上 大輔^1,2、江川 満^1,2、吉永 弘幸¹、藤原 直樹¹ (1.住友電工、2.住友電工デバイス・イノベーション)

キーワード：

半導体レーザ、DFBレーザー

Co-packaged optics向けの1.3 µm帯高出力外部光源として、SOAを一体集積したDFBレーザーが注目されている。本研究ではSOA導波路の幅広化による飽和出力向上と単一横モード維持の両立を目指し、MMI型のSOAに着目した。今回我々は、埋め込み導波路型MMIで問題となる高次横モードの染み出しを抑える設計を提案・導入した。室温CW駆動において、導波路幅が一定の従来型SOAと比較して、飽和出力と電力変換効率共に大きな改善がみられたので報告する。