[11a-S5-1~12] 3.12 Semiconductor optical devices

10:30 AM - 10:45 AM JST(1:30 AM - 1:45 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[11a-S5-6] Structure-related Properties of Multi Quantum Well via Quantum Well Intermixing for Passive Waveguide

〇Mami Takahari¹, Yuta Ueda¹, Gensai Tei¹, Takahiko Shindo¹, Makoto Shimokozono¹, Katsuhiko Nishiguchi², Fumito Nakajima¹ (1.Device Innovation Center, NTT, Inc., 2.Basic Research Laboratories, NTT, Inc.)

Keywords:

quantum well intermixing,semiconductor laser,multi quantum well

光学的にアクティブな機能（光増幅）とパッシブな機能（透明な光導波路）を同一基板上に集積することで、その高性能化につながる。本報告では、イオン注入によるQWIにおいて、InGaAsP多重量子井戸（MQW）の構造および組成変化と、QWIによりパッシブ化した導波路としての損失や等価屈折率との関連性について検討した。