[11p-A13-1~9] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

3:45 PM - 4:00 PM JST(6:45 AM - 7:00 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[11p-A13-8] Effects of an ion implantation region on visible light transmittance in a high-purity semi-insulating SiC substrate

〇Shutaro Kitagawa¹, Kyota Mikami¹, Tsunenobu Kimoto¹, Mitsuaki Kaneko¹ (1.Kyoto Univ.)

Keywords:

silicon carbide,transmittance,ion implantation

HPSI SiC基板の透明性を維持しながら集積回路を作製することができれば、情報処理機能をレンズに埋め込むことでARグラスに高い機能性を付加できる可能性がある。しかしながら、集積回路の作製に必須なプロセスであるイオン注入を施すと、HPSI SiC基板の透過率低下が予想される。本研究では、イオン注入領域を形成したHPSI SiC基板の可視光透過率を測定し、イオン注入領域が透過率に与える影響を調べた。