講演情報
[11p-A13-8]イオン注入領域が高純度半絶縁性SiC基板の可視光透過率に与える影響
〇北川 修太朗1、三上 杏太1、木本 恒暢1、金子 光顕1 (1.京大院工)
キーワード：
SiC、透過率、イオン注入
HPSI SiC基板の透明性を維持しながら集積回路を作製することができれば、情報処理機能をレンズに埋め込むことでARグラスに高い機能性を付加できる可能性がある。しかしながら、集積回路の作製に必須なプロセスであるイオン注入を施すと、HPSI SiC基板の透過率低下が予想される。本研究では、イオン注入領域を形成したHPSI SiC基板の可視光透過率を測定し、イオン注入領域が透過率に与える影響を調べた。