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[11p-A13-9]Formation of P+-implanted n-type layers on a V-doped semi-insulating 4H-SiC substrate and analysis of donor compensation
〇Yuki Yoshimura1, Kyota Mikami1, Tsunenobu Kimoto1, Mitsuaki Kaneko1 (1.Kyoto Univ.)
Keywords:
SiC,semi-insulating,Hall effect measurement
半絶縁性SiC基板は高い抵抗率により素子分離が可能であり、高温動作集積回路の基板材料として有望である。一方、同基板上にイオン注入層を形成すると、基板中の補償中心により注入層の有効キャリア密度が低下し、デバイス特性の設計値からのずれを招く。本研究では、Vドープ半絶縁性SiC基板上にPイオン注入n型層を形成し、Hall効果測定によりドナー補償を評価した。