講演情報
[11p-A13-9]Vドープ半絶縁性SiC基板上P+注入n型層の形成とドナー補償に関する考察
〇吉村 友揮1、三上 杏太1、木本 恒暢1、金子 光顕1 (1.京大院工)
キーワード：
SiC、半絶縁性、Hall効果測定
半絶縁性SiC基板は高い抵抗率により素子分離が可能であり、高温動作集積回路の基板材料として有望である。一方、同基板上にイオン注入層を形成すると、基板中の補償中心により注入層の有効キャリア密度が低下し、デバイス特性の設計値からのずれを招く。本研究では、Vドープ半絶縁性SiC基板上にPイオン注入n型層を形成し、Hall効果測定によりドナー補償を評価した。