[11p-A21-1~12] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

2:00 PM - 2:15 PM JST(5:00 AM - 5:15 AM UTC)

[11p-A21-1] Electrical Characteristics of NiO/α-Ga2O3 Hetero Junction Diodes

〇Hibiki Kuriyama¹, Okumura Hironori¹ (1.Tsukuba Univ.)

Keywords:

Ga2O3

ワイドバンドギャップ半導体であるα型酸化ガリウムを用いてショットキーバリアダイオードを作製し、半導体プロセス条件を最適化するとともに、電流電圧特性や容量電圧特性、温度依存性の評価を通じてデバイス特性の向上を目指しています。また、n型酸化ガリウムとp型酸化ニッケルを用いたヘテロ接合ダイオードの作製・評価にも取り組み、プロセス条件と電気的特性の関係を解析しています。