講演情報
[11p-A21-1]NiO/α-Ga2O3 pnダイオードの電気的特性評価
〇栗山 響1、奥村 宏典1 (1.筑大数理)
キーワード：
α型酸化ガリウム
ワイドバンドギャップ半導体であるα型酸化ガリウムを用いてショットキーバリアダイオードを作製し、半導体プロセス条件を最適化するとともに、電流電圧特性や容量電圧特性、温度依存性の評価を通じてデバイス特性の向上を目指しています。また、n型酸化ガリウムとp型酸化ニッケルを用いたヘテロ接合ダイオードの作製・評価にも取り組み、プロセス条件と電気的特性の関係を解析しています。