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4:15 PM - 4:30 PM JST(7:15 AM - 7:30 AM UTC)

[11p-B21-8]Computational study of precursors for Mo-ALD using MLIPs

〇Naoki Tamaoki¹, Sousa Nagai¹, Noboru Sato¹, Atsuhiro Tsukuno¹, Yukihiro Shimogaki¹ (1.Tokyo Univ.)

ALD,interconnect,precursor

微細化する半導体デバイスの配線において、細線効果の小さいMo配線への代替が進んでいる。デバイスダメージの懸念の低い、ハロゲン元素を含まない複数のMoプリカーサー候補について、その吸着過程や水素還元反応過程を機械学習ポテンシャルを用いた原子レベルシミュレーションで計算解析した結果について報告する