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[11p-E201-10]Selective Detection of the Orthorhombic Phase in HfxZr1-xO2 Thin Films by Far-Infrared Spectroscopy
〇Rina Takahisa1, Atsushi Tamura1, Takashi Onaya2, Koji Kita1 (1.GSFS, Univ. of Tokyo, 2.NIMS)
Keywords:
atomic layer deposition,HfO2-based ferroelectric thin film
HfO2系薄膜の結晶相解析には，主にＸ線回折法(XRD)が用いられているが，強誘電性を担う斜方晶(O)相は正方晶(T)及び立方晶(C)と格子定数が近くXRDパターンにおける分離が困難である。一方，赤外分光法(FT-IR)では，スペクトル解釈には曖昧な点が残されているものの，特に遠赤外領域での特徴的な振動ピークの違いからこれらの結晶相を区別できる。そこで，我々が既に報告した，HfxZr1-xO2固溶体膜の最表面にZrO2層を積層すると強誘電性が向上する，すなわちO相の形成が促進されるという効果に着目し，遠赤外領域のFT-IR測定によるO相の選択的検出を試みた。