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[11p-E201-14]Consideration of critical factors for suppressing endurance degradation caused by electric-field-induced interface reactions in HfO2-based ferroelectric devices
〇Takashi Onaya1, Toshihide Nabatame1, Takahiro Nagata1, Tsukagoshi Kazuhito1 (1.NIMS)
Keywords:
HfO2-based ferroelectric device,interface engineering,oxide semiconductor
HfO2系強誘電体を用いた高性能メモリデバイスの実用化へ向けて、分極疲労や絶縁破壊によるメモリ機能の消失が重大な問題となっている。これまで我々は、書き換え動作時にHfO2系強誘電体薄膜から電極に酸素が奪われる界面反応がエンデュランス特性の劣化現象を引き起こす原因の一つであることを報告した。そこで本研究では、HfO2系強誘電体/電極の界面に酸素拡散防止層を挿入することで、これらエンデュランス劣化を引き起こす電界誘起界面反応を抑制するための重要因子を調査した。