講演情報
[11p-E201-14]HfO2系強誘電体デバイスの電界誘起界面反応に起因したエンデュランス劣化現象の抑制に寄与する重要因子に関する考察
〇女屋 崇1、生田目 俊秀1、長田 貴弘1、塚越 一仁1 (1.物材機構)
キーワード：
HfO2系強誘電体デバイス、界面設計、酸化物半導体
HfO2系強誘電体を用いた高性能メモリデバイスの実用化へ向けて、分極疲労や絶縁破壊によるメモリ機能の消失が重大な問題となっている。これまで我々は、書き換え動作時にHfO2系強誘電体薄膜から電極に酸素が奪われる界面反応がエンデュランス特性の劣化現象を引き起こす原因の一つであることを報告した。そこで本研究では、HfO2系強誘電体/電極の界面に酸素拡散防止層を挿入することで、これらエンデュランス劣化を引き起こす電界誘起界面反応を抑制するための重要因子を調査した。