[11p-E206-1~12] 13.2 Exploratory Materials, Physical Properties, Devices

2:00 PM - 2:15 PM JST(5:00 AM - 5:15 AM UTC)

[11p-E206-3] Preparation of Type II Ge clathrate Films with Thicknesses of 100 nm or Less and Their Near-Ultraviolet Absorption Properties

〇Yuma Iwahashi¹, Tetsuji Kume^1,2,3, Fumitaka Ohashi^1,2,3, Himanshu Jha^1,2, Rahul Kumal³, Eito Ito¹ (1.GNST, Gifu Univ., 2.Gifu Univ., 3.Gifu Collage)

Keywords:

semiconductor,Ge clathrate

Na内包ⅠⅠ型Geクラスレート(Na_xGe₁₃₆)は、Na原子を内包するかご状構造を有している。我々はこれまでサファイア基板上にNa_xGe₁₃₆膜を作製する技術を確立し、透過率測定によって光吸収スペクトルを明らかにしてきた。しかし、光子エネルギーが3 eVを超えると強い吸収のため、高エネルギー領域における光吸収特性は不明であった。本研究では、Na_xGe₁₃₆のさらに薄い膜の作製を試みると共に、近紫外領域における光吸収特性の評価を目的とした。