講演情報
[11p-E206-3]膜厚100 nm以下のⅠⅠ型Geクラスレート薄膜の作製と近紫外光吸収特性
〇岩橋 佑真1、久米 徹二1,2,3、大橋 史隆1,2,3、ジャ ヒマンシュ1,2、クマール ラフル3、伊藤 栄斗1 (1.岐阜大院自、2.岐阜大工、3.岐阜高専)
キーワード：
半導体、Geクラスレート
Na内包ⅠⅠ型Geクラスレート(NaxGe136)は、Na原子を内包するかご状構造を有している。我々はこれまでサファイア基板上にNaxGe136膜を作製する技術を確立し、透過率測定によって光吸収スペクトルを明らかにしてきた。しかし、光子エネルギーが3 eVを超えると強い吸収のため、高エネルギー領域における光吸収特性は不明であった。本研究では、NaxGe136のさらに薄い膜の作製を試みると共に、近紫外領域における光吸収特性の評価を目的とした。