[11p-E206-1~12] 13.2 Exploratory Materials, Physical Properties, Devices

2:15 PM - 2:30 PM JST(5:15 AM - 5:30 AM UTC)

[11p-E206-4] Stabilization of the Chemical Reaction between Na vapor and Si substrates for the Growth of Si Clathrate Films

〇Shohei Kaneko¹, Tsukasa Izuhara¹, Himanshu Jha^1,2, Fumitaka Ohashi^1,2, Tetsuji Kume^1,2 (1.GNST, Gifu Univ., 2.Gifu Univ.)

Keywords:

semiconductor,Si clathrate

II型Siクラスレートは、光電変換デバイスへの応用が期待される。密着性に優れた薄いSiクラスレート薄膜の形成には、NaSiの膜厚を系統的に変化させ最適な作製条件を探る必要がある。しかし、不純物がNa塊の表面を覆うことが時折り確認される。この不純物がNaの蒸発量を不安定にし、NaSiの安定な生成を妨げることが示唆される。試行錯誤の結果、この不純物の形成を抑制する手法を見出したので報告する。