講演情報
[11p-E206-4]Siクラスレート膜の合成におけるNa蒸気とSi基板の化学反応の安定化
〇金子 奨平1、伊豆原 宰1、ジャ ヒマンシュ1,2、大橋 史隆1,2、久米 徹二1,2 (1.岐阜大院自、2.岐阜大工)
キーワード：
半導体、Siクラスレート
II型Siクラスレートは、光電変換デバイスへの応用が期待される。密着性に優れた薄いSiクラスレート薄膜の形成には、NaSiの膜厚を系統的に変化させ最適な作製条件を探る必要がある。しかし、不純物がNa塊の表面を覆うことが時折り確認される。この不純物がNaの蒸発量を不安定にし、NaSiの安定な生成を妨げることが示唆される。試行錯誤の結果、この不純物の形成を抑制する手法を見出したので報告する。