[11p-E206-1~12] 13.2 Exploratory Materials, Physical Properties, Devices

2:30 PM - 2:45 PM JST(5:30 AM - 5:45 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[11p-E206-5] Effects of deposition temperature on BaSi₂ film growth on vicinal Si substrates by close-spaced evaporation

〇Kanako Ruike¹, Hidenori Kawanishi¹, Yukiharu Uraoka¹, Kosuke Hara¹ (1.NAIST)

Keywords:

silicide semiconductor,BaSi2,close-spaced evaporation

近接蒸着法による傾斜Si(100)基板上への成膜では、成膜温度800℃で単結晶BaSi₂薄膜が形成に成功している。しかし、単結晶BaSi₂薄膜が形成される温度範囲や成膜温度に伴うドメイン割合の変化は明らかになっていない。そこで、本研究では傾斜Si(100)基板上にBaSi₂薄膜を作製し、成膜温度が結晶配向に及ぼす影響を調査した。その結果、成膜温度の上昇に伴いドメイン間の割合の差が大きくなり、900 ℃以上で単一結晶方位BaSi₂薄膜が形成されることが分かった。