講演情報
[11p-E206-5]近接蒸着法による傾斜Si基板上へのBaSi2成膜における成膜温度の影響
〇類家 哉子1、河西 秀典1、浦岡 行治1、原 康祐1 (1.奈良先端大)
キーワード：
シリサイド半導体、BaSi2、近接蒸着
近接蒸着法による傾斜Si(100)基板上への成膜では、成膜温度800℃で単結晶BaSi2薄膜が形成に成功している。しかし、単結晶BaSi2薄膜が形成される温度範囲や成膜温度に伴うドメイン割合の変化は明らかになっていない。そこで、本研究では傾斜Si(100)基板上にBaSi2薄膜を作製し、成膜温度が結晶配向に及ぼす影響を調査した。その結果、成膜温度の上昇に伴いドメイン間の割合の差が大きくなり、900 ℃以上で単一結晶方位BaSi2薄膜が形成されることが分かった。