[11p-E301-1~11] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

2:30 PM - 2:45 PM JST(5:30 AM - 5:45 AM UTC)

[11p-E301-5] Static Characteristics of 10 nm Thickness In₂O₃ Thin Film Transistors Deposited by Mist CVD

〇(M2)Haruki Ishikawa¹, Tomohiro Yamaguchi¹, Taro Iizuka¹, Soma Nshio¹, Ikoi Sato¹, Yuma Matsufuji¹, Yuichiro Ebisawa¹, Ryo Ishikawa¹, Sinya Aikawa¹, Takeyoshi Onuma¹, Tohru Honda¹ (1.Kogakuin univ.)

Keywords:

Thin Film Growth,Mist CVD,Thin Film Transistor

Mist CVD法により成膜した膜厚10 nmの多結晶In₂O₃薄膜を用い、O₂プラズマ後処理がTFT特性に与える影響を検討した。O₂プラズマ処理により、常時導通していたTFTにおいて約10⁵のON/OFF比を示すトランジスタ動作が確認された。本講演では、O₂プラズマ処理による薄膜表面および粒界改質が電気特性に与える影響について報告する。