講演情報
[11p-E301-5]Mist CVD法により製作した膜厚10 nm In2O3薄膜TFTの静特性
〇(M2)石川 治樹1、山口 智広1、飯塚 太郎1、西尾 宗真1、佐藤 憩1、松藤 由磨1、海老澤 雄一朗1、石川 諒1、相川 慎也1、尾沼 猛儀1、本田 徹1 (1.工学院大)
キーワード：
薄膜成長、Mist CVD、薄膜トランジスタ
Mist CVD法により成膜した膜厚10 nmの多結晶In2O3薄膜を用い、O2プラズマ後処理がTFT特性に与える影響を検討した。O2プラズマ処理により、常時導通していたTFTにおいて約105のON/OFF比を示すトランジスタ動作が確認された。本講演では、O2プラズマ処理による薄膜表面および粒界改質が電気特性に与える影響について報告する。