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2:00 PM - 2:15 PM JST(5:00 AM - 5:15 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[11p-N304-3]Dopant activation in high-Sn-composition Ge_1-xSn_x layers by pulsed laser annealing

〇Taehan KIM¹, Shigehisa Shibayama¹, Ryoji Katsube¹, Noritaka Usami^1,2,3, Mitsuo Sakashita¹, Masashi Kurosawa¹, Osamu Nakatsuka^1,2 (1.Nagoya Univ., 2.IMaSS, Nagoya Univ., 3.InFuS, Nagoya Univ.)

Keywords:

Pulsed Laser Annealing,Germanium-Tin,Dopant activation

高Sn組成Ge_1-xSn_xは次世代CMOSの高移動度チャネル材料として期待されているが，ドーパント活性化時のSn析出が課題である．本講演では，Pイオン注入した高Sn組成（約13%）Ge_1-xSn_x層に対してパルスレーザーアニール（PLA）を適用し，再結晶化およびドーパント活性化挙動を調査した．イオン注入深さおよびPLA条件を最適化することで，Sn析出抑制とドーパント活性化の両立を実証し，高Sn組成Ge_1-xSn_xのデバイスプロセス実現に向けた知見を示す．

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[11p-N304-3]Dopant activation in high-Sn-composition Ge1-xSnx layers by pulsed laser annealing

Keywords:

[11p-N304-3]Dopant activation in high-Sn-composition Ge_1-xSn_x layers by pulsed laser annealing