講演情報
[11p-N304-3]パルスレーザーアニールによる高Sn組成Ge1-xSnx層のドーパント活性化
〇金 泰漢1、柴山 茂久1、勝部 涼司1、宇佐美 徳隆1,2,3、坂下 満男1、黒澤 昌志1、中塚 理1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.名大未来社会創造機構)
キーワード：
パルスレーザーアニール、ゲルマニウムスズ、ドーパント活性化
高Sn組成Ge1-xSnxは次世代CMOSの高移動度チャネル材料として期待されているが，ドーパント活性化時のSn析出が課題である．本講演では，Pイオン注入した高Sn組成（約13%）Ge1-xSnx層に対してパルスレーザーアニール（PLA）を適用し，再結晶化およびドーパント活性化挙動を調査した．イオン注入深さおよびPLA条件を最適化することで，Sn析出抑制とドーパント活性化の両立を実証し，高Sn組成Ge1-xSnxのデバイスプロセス実現に向けた知見を示す．