[8a-A21-1~10] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

9:45 AM - 10:00 AM JST(12:45 AM - 1:00 AM UTC)

[8a-A21-4] Quantitative analysis of parasitic overlap capacitance of 60-nm InP-based HEMT

〇Taro Sasaki¹, Hiroki Sugiyama¹, Takuya Hoshi¹, Yuki Yoshiya¹, Shiro Ozaki¹, Fumito Nakajima¹ (1.Device Technology Labs., NTT, Inc.)

Keywords:

InP,HEMT,parasitic capacitance

本講演では、NTTの60 nmゲートInP-HEMTにおける寄生オーバーラップ容量を定量的に解析した結果を報告する。また、寄生容量の低減手法についても議論する。