[8a-A21-1~10] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

10:15 AM - 10:30 AM JST(1:15 AM - 1:30 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[8a-A21-5] Electrochemical Impedance Spectroscopy of AlGaN/GaN Heterostructures under Photoexcitation and Bias Conditions

〇Enku Takahashi¹, Satoaki akazawa¹, Kazuhide Kumakura¹, Yoshitaka Taniyasu², Taketomo Sato¹ (1.RCIQE, Hokkaido Univ., 2.NTT BRL)

Keywords:

nitride semiconductor

本研究では、AlGaN/GaNヘテロ構造の半導体/溶液界面に電気化学インピーダンス分光法（EIS）を適用し、暗中および波長360nm、330nmの光照射下におけるEIS特性を評価した。等価回路解析により、AlGaN層および半導体/溶液界面に由来すると考えられる複数の時定数成分を分離した。さらに、CPE指数のバイアス依存性から、光照射下における界面応答の空間的不均一性が示唆された。