講演情報
[8a-A21-5]光励起およびバイアス印加下におけるAlGaN/GaNヘテロ構造の電気化学インピーダンス解析
〇高橋 円空1、赤澤 怜明1、熊倉 一英1、谷保 芳孝2、佐藤 威友1 (1.北大量集センター、2.NTT物基研)
キーワード：
窒化物半導体
本研究では、AlGaN/GaNヘテロ構造の半導体/溶液界面に電気化学インピーダンス分光法（EIS）を適用し、暗中および波長360nm、330nmの光照射下におけるEIS特性を評価した。等価回路解析により、AlGaN層および半導体/溶液界面に由来すると考えられる複数の時定数成分を分離した。さらに、CPE指数のバイアス依存性から、光照射下における界面応答の空間的不均一性が示唆された。