[8a-A21-1~10] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

10:30 AM - 10:45 AM JST(1:30 AM - 1:45 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[8a-A21-6] Photoelectrochemical etching of high-Al-composition Al_xGa_1-xN layers grown on AlN channel layers

〇Satoaki Akazawa¹, Enku Takahashi¹, Kazuhide Kumakura¹, Masanobu Hiroki², Yoshitaka Taniyasu², Kazuyuki Hirama², Taketomo Sato¹ (1.RCIQE, Hokkaido Univ., 2.NTT BRL)

Keywords:

nitride semiconductor,photoelectrochemical etching

AlNトランジスタのオーミックアシスト層として用いられる高Al組成Al_xGa_1-xN層を、低損傷かつ選択的に除去するため光電気化学（PEC）エッチングを行った。280nmのUV光照射による中性溶液中での陽極酸化と、塩基性溶液処理によりエッチング段差を確認した。また、AES解析から酸化膜形成と化学溶解を繰り返すというエッチング機構を明らかにし、WBG半導体のウェットエッチングとしての有望性を示した。