講演情報
[8a-A21-6]AlNチャネル層上に形成した高Al組成（x>0.4）AlxGa1-xN層の光電気化学エッチング
〇赤澤 怜明1、髙橋 円空1、熊倉 一英1、廣木 正伸2、谷保 芳孝2、平間 一行2、佐藤 威友1 (1.北大量集センター、2.NTT物基研)
キーワード：
窒化物半導体、光電気化学エッチング
AlNトランジスタのオーミックアシスト層として用いられる高Al組成AlxGa1-xN層を、低損傷かつ選択的に除去するため光電気化学（PEC）エッチングを行った。280nmのUV光照射による中性溶液中での陽極酸化と、塩基性溶液処理によりエッチング段差を確認した。また、AES解析から酸化膜形成と化学溶解を繰り返すというエッチング機構を明らかにし、WBG半導体のウェットエッチングとしての有望性を示した。