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10:45 AM - 11:00 AM JST(1:45 AM - 2:00 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[8a-A21-7]Impact of a Comb-Shaped PSJ Structure on Current Collapse in Source-Connected GaN Polarization Superjunction FETs

〇Eito Kokubo¹, Hirotaka Watanabe², Manato Deki³, Atsushi Tanaka², Yoshio Honda^2,3,4, Hiroshi Amano^2,3,4 (1.Nagoya Univ., 2.IMaSS Nagoya Univ., 3.D center Nagoya Univ., 4.IAR Nagoya Univ.)

Keywords:

GaN,polarization superjunction,current collapse

GaN横型デバイスの課題である電流コラプスに対し，ソース接続型GaN Polarization Superjunction FETのくし形PSJ構造が及ぼす影響をパルスIV測定を用いて評価した．その結果，くし形PSJ構造を設けた場合はストレス印可後のオン抵抗の増加が大きくなる傾向が得られ，電界分布のTCAD解析からPSJ構造端部の局所高電界に伴う表面トラップ捕獲が原因である可能性が示された．

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