[8a-A21-1~10] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

10:45 〜 11:00奨励賞エントリー

[8a-A21-7] ソース接続GaN Polarization Superjunction FETの電流コラプスにくし形PSJ構造が及ぼす影響についての検討

〇小久保 瑛斗¹、渡邉 浩崇²、出来 真斗³、田中 敦之²、本田 善央^2,3,4、天野 浩^2,3,4 (1.名大院工、2.名大IMaSS、3.名大Dセンター、4.名大IAR)

キーワード：

窒化ガリウム、分極超接合構造、電流コラプス

GaN横型デバイスの課題である電流コラプスに対し，ソース接続型GaN Polarization Superjunction FETのくし形PSJ構造が及ぼす影響をパルスIV測定を用いて評価した．その結果，くし形PSJ構造を設けた場合はストレス印可後のオン抵抗の増加が大きくなる傾向が得られ，電界分布のTCAD解析からPSJ構造端部の局所高電界に伴う表面トラップ捕獲が原因である可能性が示された．